阈电压相关论文
经静脉放置电极导管发放电刺激对心脏停搏、严重窦缓和快速心律失常都是一种有效的治疗方法,但由于其具有创伤性和一定程度的危险......
通过研究￣（６０）Ｃｏｒ射线对ＭＯＳＦＥＴ跨导的影响，定性描述了辐照栅偏置条件以及氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ＿２界面态密度增加分别与ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ的跨导衰降之间的依赖关系。试验......
通过研究６０Ｃｏγ射线对ＭＯＳＦＥＴ的线性特性和输出特性的影响，定性地描述了氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态增加分别与Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ和Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ的迁移率μ退化、跨导ｇｍ下降以及输出......
提出了一种新型功率集成电路结构的设计方法。通过恰当的版图设计和利用垂直双扩散技术，可以在同一芯片上实现具有效强功率驱动能力......
本文论述了双栅ＭＯＳＦＥＴ的特性和工作原理，简单介绍了Ｎ沟Ａｌ双栅ＭＯＳＦＥＴ的结构设计和制造工艺
This article discusses the characteristics and worki......
研究了注F加固PMOSFET的总剂量辐照响应特性和辐照后由氧化物电荷、界面态变化引起的阈电压漂移与时间、温度、偏置等退火条件的关......
分析研究了不同偏置辐照和退火条件下，Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的漏电流变化特性。结果表明，ＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的......
分析研究了注F场氧MOSFET的辐射响应特性，结果表明，由于F离子具有负电中心、替换部分弱键和应力健等的作用，导致含F场氧介质具有很强......
对ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４复合栅结构Ｌ８２Ｃ８７电路的电离辐射效应、退火特性及损伤机理进行了研究，探讨了用ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４复合栅结构对大规模集成电路进行抗辐射加固的可行性。
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对注FMOSFET和CC4007电路进行了60Co－γ辐照和退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中F的引入，能明显减小CC4007电路辐射感生阈电压的漂......
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、......
本文概述了场效应管的分类和设计。设计按常规程序考虑，特殊的ＭＯＳ管还要考虑相关许多其它因素，以及理论与实践结合后的取舍。
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介绍了低能X射线和γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法。讨论了不同偏置条件和辐照方向对器件效应的影响。结果表明 ,对......
对FinFET器件(或称三栅MOSFET器件)的二维截面做了解析静电学分析以得出阈电压的计算公式.结果显示,由于三栅结构在高度方向的限制......
这一部分是积分仪的关键部分。它根据对数放大器送来的色谱信号,经微分电路和鉴别电路找出色谱峰起点,项点和终点,并向基线补偿器......
盐酸山莨菪碱（Ani）290～713μmol／L对豚鼠离体左房肌呈现负性变力作用，能降低右心房的自动节律性，并能抑制肾上腺素诱发的异常节律性，还能......
７－氯苄基四氢巴马汀５ｍｇ·ｋｇ－１可明显拮抗乌头碱，哇巴因，氰仿所致的心律失常以及提高猫心电致颤阈，１０ｍｇ·ｋｇ－１时，还可抗ＣａＣｌ２所致的大鼠室颤，其提高猫心电致颤阈......
目的观察普鲁托品对豚鼠离体心房生理特性的影响。方法利用豚鼠离体心房测定反映其特性的各项生理指标的变化。结果普鲁托品浓度依......
以麻黄碱作比较，研究伪麻黄碱对豚鼠离体左右心房的作用。结果伪麻黄碱（１～１００μｍｏｌ／Ｌ）和麻黄碱（１～１０μｍｏｌ／Ｌ）均剂量依赖性加快离休豚鼠右心房率，增强离体豚鼠......
对４０例患儿经食道心房调搏（ＴＥＡＰ）前后的心电图及血压作对照研究，结果ＴＥＡＰ后肱动脉血压增加（Ｐ＜０．０５），心电图Ｒｖ１、ＱＲＳｖ１振幅减少，ＱＲＳ电轴及Ｔｖ１振幅负值增大（Ｐ＞０．０５），其变化量在生理允......
带阈值电压补偿电流源的１０位１２５ＭＨｚＣＭＯＳ数字／模拟转换器＝Ａ１０－ｂ１２５－ＭＨｚＣＭＯＳｄｉｇｉｔａｌ－ｔｏ－ａｎａｌｏｇｃｏｎｖｅｒｔｅｒ（ＤＡＣ）ｗｉｔｈｔｈｒｅｓｈｏｌｄ－ｖｏｌｔａｇｅｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄｃｕｒｒｅｎｔｓｏｕｒｃｅ...
10-Bit 125MHz CMOS Digital-to-Analog Converter with Threshold Voltage Compens......
带监视定时器的微处理器控制器Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ控制器Ｒ５１０１系列具有高精度输出电压和检测器阈值以及特低的电源电流。每个控制器ＩＣ是由一个稳压器、一个......
本文报导利用可编程序台式电子计算机设计MOS集成电路的一种方法,其中包括:阈电压、反相器的直流与瞬态特性以及饱和MOS负载反相器......
报导了 Si_2 Ge_1 As_(38) Te_(55) 非晶半导体体开关。虽然电极接触相隔1毫米,但观察到的弛予时间只有10微秒。这是由于只有靠近......
制造了一个改进的增强型GaAs MESFET,其中采用了减小源和漏寄生电阻的高剂量Si离子注入,以及用于控制阈电压和减小肖特基栅界面状......
在液晶显示器件的表面处理中,Janning[1]首创了倾斜蒸发一氧化硅(SiO)的方法而获得了向列液晶的均匀排列.当斜蒸角(蒸发束与基片平......
计算了MOSFET阈电压与辐射剂量率之间的关系.计算结果与Long的估计在数量级上一致.解释了辐照过程中的剂量率效应.指出了瞬时辐射......
通过解一维泊松方程,对均匀掺杂的P型硅衬底MOS电容器进行了数值模拟,研究了衬底厚度和背接触势垒对衬底内的电势分布和载流子密度......
本文从Yau的模型出发,推导出短沟道MOS FET阈电压V_T与温度关系的表达式,得到了与实验一致的结果.
Based on Yau’s model, this ......
本文从积累型工作模式和反型工作模式出发,设计并制造出三种不同结构的 a-Si:H MNSFET。测试了它们的转移特性,并对其特性的异同点......
De—Qing 充电调节电路现在被广泛地应用在高功率高压线型调制器中作稳定高压脉冲幅度之用。大量实验表明这种电路若不采取必要的......
在目前CMOS器件研制中,由于采用离子注入工艺,使阈电压的调整变的简单易行。在栅氧化膜形成后,通过薄的栅氧化层进行沟道区域注入,......
双层孔栅MOSFET是CO气敏的一种新型半导体器件.本文介绍了自行设计的这类器件的结构、气敏原理、制作结果.所得器件测量结果表明,1......
本文介绍一种与双极IC电路技术完全兼容的低压(CMOS)/高压(VDMOS)器件设计与制备工艺。VDMOS器件阈电压:1～2伏(根据注入剂量调节),......
本文研究了CMOS集成电路在1.5MeV电子辐照下p沟MOS晶体管感生阈电压偏移与辐照期间栅偏条件的关系。在不同器件中导致阈电压负偏最......
常规的IRAN方法太繁锁,而且筛选周期较长.近年来我们进行的大量实验表明:用电子束辐照,电子束退火,可以作为IRAN的一种方法.实验......
本文研究了耗尽型MOS器件的短沟道效应,把Yau的电荷分配理论推广到耗尽型器件,并作了适当修正,提出了一种简单而精确的耗尽型短沟......
当载流子在大于10~4V·cm~(-1)的电场下运动时,它从电场获得的能量大于散射过程中与晶格原子碰撞损失的能量,因而载流子的温度将会......
本文使用计算机模拟技术,研究了SOI结构中各部分的电势分布和载流子分布.模拟结果表明:对于有均匀掺杂的P型再结晶硅膜的SOI结构,......
报道了栅氧化淀积多晶硅前后分别注入43keVF离子的Si栅P沟MOSFET电离辐射响应关系。结果发现,多晶硅面注F具有较强的抑制辐射感生......
