并行高阶矩量法的性能优化与应用

来源 :2013年全国微波毫米波会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sunrainnet
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目前电大尺寸的精确电磁特性分析由于其计算量大,耗时长,从而使计算方法的优化变得更加重要.本文研究MPI结合高阶矩量法的并行技术,测试了block size和process grid对并行高阶矩量法的性能的影响,并通过最优方案作为导向,完成大型电磁计算.
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硅基集成电感是射频集成电路的重要元件之一,本文提出了一种基于硅通孔技术的新型螺线管式差分电感.文章首先介绍了该差分电感的结构,然后从金属损耗和介质损耗两方面讨论了该差分电感的损耗机理,并且研究了几何参数对该差分电感性能的影响,最后还与平面型差分电感进行了比较.结果表明,本文所提出的螺线管式差分电感与平面型差分电感在具有相同感值的情况下,占用面积更小,品质因数更高.
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本文提出了一种具有多传输零点的微带双通带滤波器结构.该结构由具有源/负载交叉耦合的输入/输出结构和分别谐振在2.4GHz与5.8GHz的短路阶梯阻抗耦合谐振器和开路均匀阻抗耦合谐振器构成,在不同信号传输路径的共同作用下引入多个传输零点使所设计的滤波器通带选择性和通带隔离度均得到加强.详细给出了信号传输特性分析,讨论了传输零点的产生原因.最终得到的滤波器具有结构紧凑、带内外频率响应表现良好等优点.实
本文提出了实数时延径向基函数神经网络(RVTDRBFNN)模型,用于宽带射频功放动态非线性建模及线性化.该神经网络的中心节点通过正交最小二乘(OLS)算法来确定,而权值通过奇异值分解(SVD)获得.文中采用宽带调制信号作为测试信号,设计输出峰值为47dBm的LDMOS AB类功放作为测试功放,对RVTDRBFNN在不同记忆深度和隐含节点情况下的建模和线性化进行实验比较.分析了记忆深度和隐含节点的变
本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.最终所研制的AlGaN/GaN C波段内匹配功率管在28V漏电压,5.3~5.9GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出77.6W,带内功率增益大于10dB,最大功率附加效率52.9
本文提出并设计了一种应用基于基片集成波导(SIW)用于Ka波段的滤波器.该滤波器利用SIW谐振腔特性,并分别利用波导E面和H面方法设计了Ka波段的滤波器.设计出的模型尺寸约为2.3mm*14mm,在Ka波段实现了窄带滤波功能,回波损耗小于-20dB.相对于传统波导结构的滤波器,大大缩小了其体积,实现了小型化,容易集成在系统中,具有重要意义.
本文基于基尔霍夫近似方法研究了色散粗糙面的电磁散射特性,通过数值模拟获得了不同极化状态锥形波入射时的散射系数随入射角、散射角及入射波频率变化的曲线,讨论了粗糙面参数和入射波频率对散射系数的影响,分析了高频散射的物理机理.
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