射频集成电路相关论文
近年来,随着5G移动通信、智能家居、智慧城市等新兴应用场景的迅猛发展,高集成、低成本、高效率的硅基无线发射系统已成为现代无线......
随着万物互联时代的到来,物联网对射频集成电路的功耗、成本、性能要求越来越高。低噪声放大器作为射频接收机系统中的首级电路,它......
硅基集成电感是射频集成电路的重要元件之一，本文提出了一种基于硅通孔技术的新型螺线管式差分电感.文章首先介绍了该差分电感的结......
设计了应用于WLAN802.11b 2.45GHz功率放大器。详细描述了设计过程，给出了仿真结果，设计基于SMIC0.18μmCMOS工艺和ADS仿真软件。仿......
提出了一种将多孔硅牺牲层应用于制作悬浮薄膜结构的方案.采用专用容器在不同浓度的HF溶液生成了多孔硅,并对其质量进行了比较.高......
本文探讨了标准CMOS工艺条件下片上螺旋电感的物理模型和各种损耗机制,采用了若干简化的规则来设计电感的尺寸,从而在硅片的面积、......
本文总结了射频集成电路ESD保护网络与核心电路之间复杂的相互作用以及可能造成的各种现象如ESD保护网络误触发、ESD保护结构引起......
本文简要介绍了新型射频集成电路(RFIC)电压控制振荡器、超高速频率综合器和几种不同RFIC相控阵系统的基本概念、工作原理和测试结......
随着射频电路(RF)工作频率及集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,......
芯片技术的进步还未曾能完全取代射频(RF)设计所需的技术,但是目前推出的集成电路为主流设计人员进入无线领域拓展了新的机遇。这......
过去的十几年里 ,无线通信技术得到了飞跃的发展 ,全球移动电话以每天新增 2 5万户的速度“爆炸式”增长 ,预计 2 0 0 0年年底全球......
专门从事射频集成电路(RFIC)设计和制造的台湾Excellence inCommunication Corp(EIC)公司,正在供应ECM007和ECM009两种三段波功率......
无线通信产品专用射频集成电路(RFIC)供应商美国威讯联合半导体(RF Micro Devices)公司,日前将其北京新厂“威讯联合半导体(北京)......
美国模拟器件公司(ADI)日前宣布,ADI与中国手机制造商TCL移动通信有限公司联合开发的首款GSM手机成功通过全球认证论坛(GCF)测试......
为减少射频螺旋电感的金属导体损耗,提出了一种电感金属线宽及金属间距从外到内逐渐变小的新颖结构.与传统的固定金属线宽和间距的......
将对称噪声滤波技术应用到4 8GHz LC全集成 VCO设计中.该 VCO具有很低的相位噪声以及 716MHz的调节范围,在SMIC 0 25μm单层多晶、......
射频集成电路供应商RF Micro Devices公司(RFMD)宣布,该公司董事会已批准其RFMD封装工厂的拓展,该拓展计划于2006年第二季度开始实......
鼎芯通讯(Comlent)和安捷伦科技(AgilentTechnologies)联合宣布:两家公司合作建立的亚太地区首个“TD SCDMARFIC示范实验室”正式......
采用TSMC 0.25μmCMOS工艺设计了一个IEEE802.11a标准无线局域网(WLAN)应用的5.8GHz差分低噪声放大器(LNA).阐述了LNA的噪声优化和......
近日,鼎芯通讯(上海)有限公司宣布,其射频收发芯片已经成功在TD-SCDMA网络上实现通话。新浪科技网报道称,这是第一颗由中国企业完......
2007年8月1日Cadence设计系统公司和中芯国际共同宣布,一个支持射频设计方案的新的0.18μm SMIC CMOS射频工艺设计工具包将正式投......
Cadence设计系统公司和中芯国际日前共同宣布,一个支持射频设计方案的新的0.18微米SMIC CMOS射频
Cadence Design Systems and Se......
针对超外差接收机的自动增益控制网络,设计了一种结构简单的低压、低功耗全差分可变增益放大器.它由6级子电路级联而成,提供范围为......
据Engalco最近发表的一份最新报告,硅基射频集成电路(RFIC)的商品销售迅速增长,全球销售总额将从2006年的120亿美元增长到2014年的......
随着集成电路(IC)工艺进入深亚微米水平,以及射频(Radio-Frequency,RF)IC工作频率向数千兆赫兹频段迈进,片上防静电泄放(ESD)保护......
近日,中国电科55所国博公司上报的《2012-2014年集成电路企业研发能力实施方案》,凭借过硬的产业技术基础、良好的发展前景、具体......
据美国科技媒体报道,IBM计划在今年12月份在美国华盛顿举办的国际电子器件会议上,介绍其采用CMOS兼容工艺制造的2 GHz石墨烯实验型......
为了设计最优的级间耦合变压器以最大化多级放大器的增益,提出了一种N∶1片上变压器的版图设计方法,建立了基于物理的变压器集约等......
美国圣地亚哥Peregrine半导体公司,是一家基于绝缘体上硅材料的射频集成电路的无生产线设计公司,近期基于发布了基于GlobalFoundri......
针对传统共漏-共栅-共源(CD-CG-CS)有源电感的不足,结合有源网络和受控辅助电阻支路,设计了一款具有大电感值,且可在不同频率下获......
在射频集成电路设计中,片上螺旋电感应用非常广泛。对于GaN器件,由于其单晶制备困难,无法进行同质外延,选用SiC作为GaN器件衬底是......
设计了一款应用于4G(TD-LTE)的可变增益低噪声放大器(VGLNA)。输入级采用共栅极跨导增强结构,实现了电路的输入阻抗匹配,并且加入......
随着无线通信的不断发展，对射频集成电路的需求越来越大，近年来CMOS射频集成电路成为研究的热点。本文旨在研究设计在射频段工作的CM......
近年来，随着无线通信技术的迅猛发展，无线终端的小型化、低功耗、低成本、高性能已成为发展趋势，为此单片集成收发器已成为国际上研发......
本文通过“合成渐近”法得到有耗衬底射频集成电路中几种基本元器件的CAD公式。硅基射频集成电路采用硅衬底，其中上层介质（SiO）很薄，下......
近年来，随着通信技术的不断提高、通信协议的不断完善、通信市场需求的不断扩大，射频集成电路的应用和研究得到飞速发展。CMOS射频集......
随着相控阵技术的发展,其利用电子方法完成在各种介质的波束指向扫描,并且具有高性能、多功能等诸多优点,应用范围也逐渐从军事转......
全球卫星导航系统逐步成为空间信息获取不可或缺的部分,应用范围由专业市场扩展到民用市场。导航接收机前端作为在卫星导航系统的......
直到最近,小型毫米波武器系统的研制所受到的阻碍,仍然是缺乏像实现较低频率微波系统那样成熟的制造技术。十多年来,我们一直致力......
为将零温度系数SAW器件与有源半导体器件集成在一块芯片上,需采用新的薄膜技术,这种结构拟称为Si/蓝宝石或Si基片射频集成电路(RFI......
结合多项用于深亚微米集成电路的新技术 ,提出了用于数 GHz射频集成电路的 SOI n MOSFET器件结构和制造工艺 .经过半导体工艺模拟......
