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本文介绍了利用磁控反应溅射的方法，找到与制备低温度系数、高稳定性、高精度氮化钽薄膜电阻器相关的氮分压、溅射电压及烘烤温度等的最佳工艺条件，并给出X射线衍射的分析结果。
磁控反应溅射氮化钽薄膜的最佳工艺研究
【摘 要】
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本文介绍了利用磁控反应溅射的方法，找到与制备低温度系数、高稳定性、高精度氮化钽薄膜电阻器相关的氮分压、溅射电压及烘烤温度等的最佳工艺条件，并给出X射线衍射的分析结果
【机 构】
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师范大学电子科学技术系（上海）
【出 处】
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中国电子学会第四届青年学术年会
【发表日期】
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1998年期
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