【摘 要】
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对于量子点发光二极管(QLEDs)而言,利用界面层对其进行性能优化已经成为提升器件效率的最主要的方式之一.1,2,3选择合适的界面层可以有效地调控载流子的注入以使电子和空穴的注入尽量平衡,也可以降低由于载流子浓度过高而引起的发光淬灭,还能有效降低漏电流.利用原子层沉积(ALD)的方法在传输空穴的Ni0层与发近红外光的硅量子点(SiQDs)层之间插入不同厚度的A1203界面层。研究发现，当插入的A1
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验室,杭州,310027
【出 处】
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第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
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对于量子点发光二极管(QLEDs)而言,利用界面层对其进行性能优化已经成为提升器件效率的最主要的方式之一.1,2,3选择合适的界面层可以有效地调控载流子的注入以使电子和空穴的注入尽量平衡,也可以降低由于载流子浓度过高而引起的发光淬灭,还能有效降低漏电流.利用原子层沉积(ALD)的方法在传输空穴的Ni0层与发近红外光的硅量子点(SiQDs)层之间插入不同厚度的A1203界面层。研究发现，当插入的A1203界面层厚度为5.7nm时，基于玻璃衬底的器件的光功率密度和外量子效率得到了明显的提升，分别达到了14μW/cm2和～0.1％（如图1），在把玻璃衬底换成柔性衬底后，有A1203界面层的SiQDs近红外发光二极管可以在被弯折情况下工作。
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