GaSb基材料表面HCl系湿法刻蚀的研究

来源 :第二十二届全国激光学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Heavenws

【摘要】

：

GaSb 基材料在近中红外波段光电子器件是目前研究的热点领域之一.针对GaSb基材料的刻蚀所存在的问题,较为系统地研究了HCl系HCl+HNO3(30+1)@T=5℃,37％HCl,HNO3+(0.08MHCl+CH3COOH)和HCl+H2O2+H2O(60+1+1)刻蚀的相关问题,研究了不同刻蚀液对GaSb表面形貌,刻蚀速率等的影响,实验验证了HCl+H2O2+H2O(60+1+1)处理效果比

【作者】

：

尤明慧孙启响尹丽萍李士军刘景圣

【机构】

：

吉林农业大学信息技术学院,吉林长春 130022

【出处】

：

第二十二届全国激光学术会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

GaSb基材料 HCl系湿法刻蚀

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