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阻变存储器因为其高速、高密度和非易失性等优点引起了科学界和工业界的广泛关注.本文利用射频磁控溅射沉积了TaOx薄膜，并进一步制备W/TaOx/Pt结构的阻变器件来研究其电阻转变现象.结果表明W/TaOx/Pt结构具有可控且重复性好的阻变特性和热稳定性.该器件可以在448K的高温下进行电阻转变的操作，高低组态分别能在510K的温度下保持而不至于失效.W/TaOx/Pt结构的循环擦写次数达到104次，保持时间达106s.通过XPS分别对器件在不同组态时的W/TaOx界面和TaOx/Pt界面进行分析，表明在高低阻态时，氧离子在两个界面形成不均匀的分布.这种氧离子的不均匀分布是由于电场作用下的氧离子迁移所导致，从而揭示了W/TaOx/Pt结构发生电阻转变效应的微观机理.