【摘 要】
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采用磁控溅射方法,在Al2O3基体上沉积纯Au膜和具有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜。利用四点探针法测试退火前后纯Au膜及有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜表面电阻率的变化。结
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054
【出 处】
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2009全国功能材料科技与产业高层论坛
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采用磁控溅射方法,在Al2O3基体上沉积纯Au膜和具有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜。利用四点探针法测试退火前后纯Au膜及有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜表面电阻率的变化。结果表明,对于纯Au膜来说,在沉积态,随着沉积温度的升高,电阻率下降,180℃沉积温度以上,电阻率随沉积温度变化不大,退火后,Au膜电阻率均下降,在试验范围内趋于稳定值2.6μΩ·cm。在相同的沉积温度下,有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层膜的电阻率均比纯Au膜高,在300、400和500℃退火1h后,有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层膜电阻率均出现异常增大。
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