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本文对SOI(SOI:Silicon On Insulator,绝缘体上硅)器件的优良特性进行了描述,对SOI 与体硅CMOS电路的漏电流作了对比。介绍了SOI材料的制作方法,主要的两个技术途径是氧离子注入隔离技术和硅片直接键合与背面腐蚀技术。阐述了SOI器件特有的失效机理与应用领域,认为在二十一世纪SOI技术必将得到进一步的发展。