【摘 要】
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属于高能带阶跃、强极化半导体低维体系的GaN基异质结构不仅在高频、高温、高功率电子器件领域具有重大应用，而且是研制室温下工作的自旋电子器件的重要材料体系。近年来，我们采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法制备出高质量的GaN基异质结构材料，分析了其本征能带自旋分裂特征，在此基础上系统研究了其自旋光电流性质和自旋输运性质。本报告将在介绍本领域工作意义、发展动态、以及我们以往的研究结果的同时，重点
【机 构】
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北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室
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属于高能带阶跃、强极化半导体低维体系的GaN基异质结构不仅在高频、高温、高功率电子器件领域具有重大应用，而且是研制室温下工作的自旋电子器件的重要材料体系。近年来，我们采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法制备出高质量的GaN基异质结构材料，分析了其本征能带自旋分裂特征，在此基础上系统研究了其自旋光电流性质和自旋输运性质。本报告将在介绍本领域工作意义、发展动态、以及我们以往的研究结果的同时，重点汇报我们在这方面一些新的进展，希望通过与国内同行的交流、讨论获得新的启发和帮助。
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铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)不仅具有较高的光吸收系数(＞104cm-1)和与太阳能光谱相匹配的禁带宽度(约为1.50 eV),而且其组成元素在地壳中储存量丰富、毒性低,被认为是一种绿色、廉价、适合大规模生产的太阳能电池吸收层材料.为满足光伏技术的高效率和低成本的要求,本文采用便宜低毒的乙二醇甲醚为溶剂,氯化铜、氯化锌、硫化亚锡为金属源,硫脲为硫源,单乙醇胺为添加剂制备溶胶-凝胶,通过旋涂法结合改