【摘 要】
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本文采用镁掺杂有机受体材料3,4,9,10 perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)做为电子注入层、银做为阴极制备了一种新型的有机发光二极管.同传统的Mg:Ag合金电极相比,PTCDA:Mg/Ag对Alq3的电子注入能力略有提高,但是由于银在可见光范围内的反射能力高于Mg:Ag合金,相应器件的效率提高了近40％.在无定形的PTCDA:Mg薄膜中,Mg和P
【机 构】
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中国科学院半导体研究所新材料部,北京,100083
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文采用镁掺杂有机受体材料3,4,9,10 perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)做为电子注入层、银做为阴极制备了一种新型的有机发光二极管.同传统的Mg:Ag合金电极相比,PTCDA:Mg/Ag对Alq3的电子注入能力略有提高,但是由于银在可见光范围内的反射能力高于Mg:Ag合金,相应器件的效率提高了近40％.在无定形的PTCDA:Mg薄膜中,Mg和PTCDA被认为通过弱关联作用形成一种络合物。
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报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电压,提高了器件的微波功率特性.研制的1 mm栅宽器件在8GHz、34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB、功率附加效率(PAE)为46％.
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基于对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.新方法将序进应力加速试验应用于失效率评价中,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,确定微电子器件的寿命分布及相应的失效率.并以样品3DG130为例,进行了160℃-310℃范围内的序进应力加速寿命试验,然后根据模型,计算得到了器件的寿命分布和失效率.结果与文献能够很好的吻合,验证了方法的可行性。
本论文利用直流磁控溅射系统在p型SiCGe和载玻片衬底上沉积ITO薄膜.研究不同工艺条件对ITO薄膜方阻、透过率及与p型SiCGe接触特性的影响.结果发现溅射功率为79.2W沉积的ITO薄膜透过率最高,可达88.15663％,方阻最低,为22.8Ω/□.以溅射功率为79.2W的工艺条件在p型SiCGe上沉积ITO薄膜,并研究其电压电流(I-V)特性与退火温度的关系.结果表明,在退火温度为400℃的
本文在半绝缘4H-SiC衬底上成功制备出MESFET器件,并完成直流特性测试和交流小信号特性测试工作.共制备出3种结构尺寸的MESFET器件,其栅长栅宽分别为0.5μm/80μm,0.7μm/80μm和2μm/2mm,其中0.5μm/80μm的MESFET器件的漏极电流密度最高,频率特性最好.在漏源电压Vds=10V时,它的漏极电Ids约为14mA,电流密度为175mA/mm,最大跨导为25mS/
本文在比较已报道的n型SiC欧姆接触数据的基础上,着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题.此后又介绍了一些其他金属与n-SiC形成的欧姆接触,反映了n型SiC欧姆接触发展现状,多种不同的表面处理、掺杂方式和金属结构被用来制备性能良好的接触.
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采用分子束外延技术,固定InAs淀积厚度为2.3ML,As压为5.1×10-7mbar,生长速度为0.5ML/s的情况下,在不同的生长温度下制备了InAs量子点.在生长温度从480℃到535℃范围内,量子点密度从2×1010cm-2减少到4×109cm-2,而量子点的直径和高度却是增加的.量子点从双模分布向单模分布转变.在低的生长温度下,成核太快造成了量子点的双模分布;而在高的生长温度下,In偏析