人们对于砷化镓晶体中存在的各种微缺陷研究已经有很长的时间了,以往通常都是主要利用电子显微镜,透射电镜,扫描电镜、X射线异常投......

本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回擂曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶......

通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷......

抛光晶片缺陷检测是半导体材料生产和器件生产中的一个重要环节,晶片质量及器件成品率与缺陷检测的成功与否有着相当重要的关系.本......