【摘 要】
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本文对厚度为20ìm的(111)晶向的碲锌镉晶片进行双面化学腐蚀,并采用红外透射显微镜对A面和B面的腐蚀坑进行观察和对比时发现,在同一晶片(111)A和(111)B面上的腐蚀坑并无对应关系,即大部分腐蚀坑所对应的不是穿越(111)面的位错线,而且,腐蚀坑的深度也仅局限于10微米以内.这些结果表明,腐蚀坑密度不能简单地表征材料的位错密度.
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所功能材料器件中心(上海)
【出 处】
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上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会
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本文对厚度为20ìm的(111)晶向的碲锌镉晶片进行双面化学腐蚀,并采用红外透射显微镜对A面和B面的腐蚀坑进行观察和对比时发现,在同一晶片(111)A和(111)B面上的腐蚀坑并无对应关系,即大部分腐蚀坑所对应的不是穿越(111)面的位错线,而且,腐蚀坑的深度也仅局限于10微米以内.这些结果表明,腐蚀坑密度不能简单地表征材料的位错密度.
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