【摘 要】
：
中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电子束曝光系统和JEOLJBX5000LS电子束光刻系统及美国应用材料公司捐赠的ETECMEBES4700SE-BeamPatternGeneratorSystem组成的微光刻技术实验室.为满足科研和生产的需要,我们长期以来一直开展微光刻技术和微纳米加工技术
【机 构】
：
中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成实验室,北京,100029
【出 处】
：
第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
论文部分内容阅读
中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电子束曝光系统和JEOLJBX5000LS电子束光刻系统及美国应用材料公司捐赠的ETECMEBES4700SE-BeamPatternGeneratorSystem组成的微光刻技术实验室.为满足科研和生产的需要,我们长期以来一直开展微光刻技术和微纳米加工技术的研究,并取得了很好的应用效果.本文主要介绍如下研究工作:(Ⅰ)我国微光刻技术和微纳米加工技术的发展历程;(Ⅱ)光学光刻分辨率增强技术的研究;(Ⅲ)电子束曝光技术的研究;(Ⅳ)微光刻技术图形数据处理及数据转换体系研究;(V)下一代光刻技术掩模制造技术的研究;(Ⅵ)纳米结构图形加工技术的研究.这些技术已广泛地应用于我国需要进行微制造和微纳米加工技术的各个领域,我们应用这些技术实现了20nm线条曝光、研制成功27nmCMOS器件及50nm单电子器件的演试、100nmHEMT器件和其他纳米结构的制造.
其他文献
采用ＰＷＭ控制器和ＭＯＳＦＥＴ功率开关一体化的集成控制芯片是新一代开关电源设计的重要特点和趋势。该文介绍了美国功率集成公司（Ｐｏｗｅｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎｓ Ｉｎｃ．）于九十年代中期研制推出的三端ＰＷＭ／ＭＯＳＦＥＴ二合一集成控制器件ＴＯＰＷｗｉｔｃｈ系列及其在开关电源设计中的应用，同时介绍如何应用ＥＸＣＥＬ电子表格设计与ＴＯＰＳｗｉｔｃｈ相匹配的高频功率变压器的程序。
该文分析了全桥式电路中的直流偏磁、弧焊过程中的电流冲击及氩弧焊长时间焊接过程中焊机的温升等问题，通过对实际数据和波形的分析，提出了选择合适的工作频率及采用峰值电流和平均电流的综合反馈逐波控制方式，是提高全桥式弧焊逆变器的可靠性的关键因素。
该文介绍驱动保护电路，利用高频磁隔离耦合信号技术，驱动信号的响应快，并具有过电渡保护功能。该电路具有形式简单，成本低，抗干扰性能，高速开关驱动以及保护灵敏等优点。
开关磁阻电动机（ＳＲ）是一种新型的机电一体化电动机调速系统，由于其结构简单，控制灵活方便，调速性能优良，在较广的调速范围内具有较高的效率，为其应用带来了广宽的前景。该文就开关磁阻电动机调速系统在低速运行时，不同运行状况（例如轻载、满载、起动）对控制系统的要求进行了分析和实验研究，提出了对ＰＷＭ电压控制与调节开关角相结合的控制方式，推出了开关磁阻电动脉宽调速与位置控制与位置控制相结合的系统小信号线性
本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的Si-SiO2薄膜,XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内;在波长为240nm紫外光的激发下,室温及1000℃退火后Si-SiO2薄膜的PL谱图显示样品中存在峰位分别处于320nm,410nm,560nm,630nm四个相互分离的峰,其发光机制分别为来自中性氧空位缺陷(≡Si-O-O-Si≡2)、双配位硅悬挂键(O-Si-O)、非桥氧
本文采用ICP等离子体刻蚀工艺,以CHF3、SF6和O2作为刻蚀气体,对生长在SiO2上的多晶3C-SiC膜进行了刻蚀工艺研究,得出来优化的刻蚀条件,该刻蚀条件具有较快的刻蚀速率并且可以获得较陡直的侧墙.不同的刻蚀气体对刻蚀速率有明显的影响,用纯CHF3或CHF3与O2的混合气作为刻蚀气体时,刻蚀速率较慢,相同条件下,加入SF6刻蚀速率有较大的提高,主要是由于SF6具有比CHF3高的自由[F]基生
聚焦离子束技术常被用于集成电路的修整与失效分析,通过切断某些金属连线和诱导沉积新的金属连线来测试所设计电路的特性.在低维材料的电输运性质研究中,它也常被用于制作微电极.因此,在这些应用中,采用聚焦离子束诱导沉积的金属本身的电学性质变得比较重要.在本文中,我们采用聚焦离子束诱导沉积方法制作了不同尺寸的铂线条,并测量了其电流-电压曲线.实验结果表明,所选用的束流密度对沉积的铂的电阻率有较大影响,当选择
具有高度自动控制功能的离子注入机利用机械手完成晶片输送工作,可以加快输送速度,避免人为出错及减少微粒污染.自动定位技术常常是自动装卸片过程中一项非常关键的技术.本文主要介绍了晶片自动定位的原理及实现方法.该自动定位方法应用于离子注入机上,效果非常理想.
电子束抗蚀剂是微细加工工艺中极具发展潜力的一种抗蚀剂.本文介绍了在微细加工工艺中应用电子束抗蚀剂在光掩模制造中的关键步骤及目前常用的几种电子束抗蚀剂,分析了电子束抗蚀剂的特性及其应用于光掩模加工工艺中应注意的问题.
微电子技术正向深亚微米、纳米方向发展.而电子束掩模制造技光设备由于波长短,位置控制精度高,而具备制作精确图形的优势.电子束的工作方式有两种:光栅扫描和矢量扫描.矢量扫描电子束,ZBA-23H电子束由电子光学柱、激光工件台等组成.工艺:电子束胶及有机溶剂的显影、腐蚀等.发展方向:在0.13以上,由于激光波长原因.再小的尺寸只能由电子束或与其它设备共同来制作.还得采取特殊OPC、相移技术,化学放大胶等