电子束直写相关论文
使用电子束直写加工工艺,在石英基底上完成了亚微米级8台阶二元光学元件的光刻加工。由于石英基底为绝缘体,导电性差,不利于电子束......
亚波长金属微纳结构因其特有的表面等离激元的激发、耦合、传输所引起的丰富特殊的光学性质而成为当前信息技术、探测传感、生命科......
报道了采用电子束直写制作计算全息图(CGH)的新方法,该方法与传统的计算全息图制作方法相比可以明显提高CGH再现的像质(信噪比和对......
亚波长光栅具有特殊的反射特性,可以用于各种光器件的设计。利用时域有限差分方法(FDTD)和散射矩阵方法计算了亚波长介质光栅的能......
低效取样光栅是激光取样技术的一种重要元件 ,它可以看成离轴的二相位的菲涅耳波带板。基于菲涅耳波带板的形成原理 ,对取样光栅的......
多阶相位器件是一类具有极高衍射效率的光学元件,主要应用于光互连、光通信、平面光学、折衍混合光学等方面.本文采用电子束直写曝......
介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和J......
摘 要:基于电子束直写技术在纳米尺度刻蚀的标准过程,探索适用于单晶样品的刻蚀工艺,在微米尺度上建立一套方案,给出各步骤条件参......
电子束直写在微纳加工领域有着非常广泛的应用。为了能够实现低成本电子束直写微加工，提出了一个基于Igor Pro的简易方法,此方法的......
对X射线掩模电子束制备图形过程建立三维有限元模型,提出用热流密度等效法简化瞬态热应力计算,得到了X射线掩模在电子束直写过程中......
报道了W波段GaN三级放大电路的研制结果。采用电子束直写工艺在AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的'T'型栅结构。......
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术......
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报道了一种采用电子束直写70nm"Y"型栅工艺制备的GaAs MHEMT器件及W波段低噪声放大器。器件的最大跨导可达到1 050mS/mm,最大电流......
TN305.7 2002032298光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量=Opticalproximity correction for improving pattern qualityin submicr......
电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子......
采用PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA三层胶结构,通过优化电子束直写电压、束流和显影等工艺参数,得到了理想的光刻胶形貌。利用干法刻蚀和湿......
作为当前集成电路制造的主流技术,光学光刻在趋近其分辨力极限的同时,面临着越来越大的挑战,即便在波前工程和分辨力增强技术的帮......
