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本文通过数值模拟方法对深亚微米SOI MOSFET的单粒子效应进行了研究。通过TCAD模拟，分析了漏极瞬态电流脉冲SET和体区电子浓度分布随时间、空间的变化情况，并从时间维度上探讨了深亚微米SOI MOSFET在单粒子效应下的双极放大效应。模拟和分析表明，双极放大效应对SET脉冲形状有很大的影响。最后，在已有模型的基础上，结合双极放大系数β(t)的建模，改进了SOI MOSFET单粒子效应瞬态电流脉冲SET的模型。