(K0.54Na0.46)NbO3-LiSbO3无铅压电陶瓷的电学性能与相结构

来源 :第六届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aeo55121890
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利用传统的电子陶瓷工艺制备了(1-x)(K0.54Na0.46)NbO3-xLiSbO3[(1-x)KNN-xLS]无铅压电陶瓷,研究了LiSbO3对(1-x)KNN-xLS陶瓷的相结构与介电压电性能的影响。研究结果表明,(1-x)KNN-xLS陶瓷的准同型相界位于0.04<x<0.06;(1-x)KNN-xLS陶瓷的电学性能强烈地依靠化学成分,在准同型相界附近具有加强的电学性能;(1-x)KNN-xLS(x=0.05)陶瓷的室温压电常数达220pC/N,径向机电耦合系数达43%,居里温度为368℃,正交-四方转变温度为90℃,介电常数为1145,介电损耗为2.8%,剩余极化值为26.6μC/cm2,矫顽场为13.8kV/cm.因此可以认为,该陶瓷体系是具有应用前景的无铅压电陶瓷材料之一.
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