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基于电阻开关效应(Resistance Switching Effect)的电阻型随机存储器(RRAM)，是下一代非挥发型存储器中的佼佼者，它具有读写速度快、功耗小，可实现三维存储，以及与当前的CMOS工艺兼容等优点。
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【摘 要】
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基于电阻开关效应(Resistance Switching Effect)的电阻型随机存储器(RRAM)，是下一代非挥发型存储器中的佼佼者，它具有读写速度快、功耗小，可实现三维存储，以及与当前的CMOS
【机 构】
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清华大学物理系,北京,100084
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年期
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