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本文设计了一种多晶硅PIN二极管作为VDMOS器件的ESD保护结构。
多品硅PIN二极管通过在场氧化层上的多晶硅中小同区域进行不同掺杂实现，用来进行VDMOS器件栅源间的ESD保护。对不同I区宽度和二极管串联个数的多晶硅二极管进行了分析和流片测试，依据测试结果，设计了一种由5个I区宽度为1μm的PIN二极管串联作为VDMOS的ESD保护结构，并进行了版图设计和流片，流片后的测试结果表明，该VDMOS器件栅源间的抗ESD能力达HBM3000V。