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该文用扫描电子显微镜及阳极氧化法对Al-Si微合金欧姆接触层的质量进行了探讨。实验证明:用扫描电镜及阳极氧化法,可以较精确地测量、分析晶闸管阴极Al-Si微合金的厚度、微合金的电阻率的分布及n[*+*]层的补偿度、铝膜与硅片接触面的紧密性、空隙存在情况以及铝膜疏松与致密的形貌。(本刊录)