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Photovoltaic Market:Current Situation, Roadmap and the Role of n-type Silicon
【机 构】
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ECN Solar Energy, PO Box 1, 1755 ZG Petten, the Netherlands
【出 处】
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第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
【发表日期】
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2012年5期
其他文献
自然光条件下的电站电量涉及模组电学特性和气象环境，其准确预测难度较大，基于一定模型的电力预测技术，对提高电网电量预测精度和电力管理部门宏观电量调度具有重要意义。常规的电站输出模型多建立于标准光，定光强变温度，或定温度变光强的性能研究，对于某一光照和模组温度条件下发电量有较好的表述，但用以表述实际自然光(任意光照和温度条件)下的I-V 和功率输出时往往出现偏差。本文在基于20KW 晶硅户外试验电站(
采用电化学一步共沉积后硫化退火的方法制备出了Cu2ZnSnS4 薄膜，对薄膜的晶体结构、表面形貌、能谱以及光学性质进行了表征.主要研究了硫化退火温度和S2O32-浓度这两个因素对薄膜的影响.发现Cu2ZnSnS4 薄膜的成相十分依赖于退火温度.只有在退火温度大于450℃时，才会形成Cu2ZnSnS4 相，且退火温度越高，薄膜质量越好.S2O32-浓度的改变对薄膜的影响体现在杂相CuxS的出现上.研
薄膜太阳能电池在不同偏压下量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果。对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池窗口层区域杂质补偿情况，主结势垒高低，背势垒高度等，还可得出耗尽区宽度以及少子扩散长度等重要参数。本文通过理论分析给出了薄膜太阳能电池耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)与偏压量子效率的关系，提出了一种新的拟合耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)的方法，探讨了偏压量子效率测
本文利用反应等离子体沉积技术(RPD)在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.用原子力电镜(AFM),霍尔测试系统,四探针,UV-Vis-NIR 分光光度计和椭偏仪(SE)对薄膜进行表征,研究了工作气压和退火处理对薄膜表面形貌和光电特性的影响.研究结果发现,工作气压决定薄膜生长速率,气压越高,生长速率越慢.而且低气压条件下制备的ITO 薄膜导电性优于高压条件下制备的薄膜.所得ITO
In recent years,dedication towards the commercialization of CIGS solar cellsbecame popular worldwide.However,fundamental obstacles to commercializationsuch as cell and module production yields,reprodu
会议
硅基薄膜太阳电池技术的研发和生产在近十年来取得了显著的进步，特别是铂阳的非晶硅和硅锗叠层电池技术已形成了2GW 以上的产能。本文介绍两类主要的硅基薄膜光伏技术，非晶硅和微晶硅基技术。对目前的非晶硅及硅锗合金太阳电池技术，以及纳米硅与非晶硅合金太阳电池技术的特点进行了分析与对比。在此基础上，分析并讨论硅基薄膜太阳电池面临的困难与挑战，并提出硅基薄膜太阳电池进一步发展的技术方向。
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池光电转换效率高、性能稳定不衰退、相同功率电站其发电能力比晶体硅太阳电池高5 ％～10 ％.制备在廉价的柔性衬底上的CIGS 电池轻质、可卷曲折叠、不怕摔碰，其比功率也是其它太阳电池无法比拟的.CIGS 太阳电池所消耗的原材料低，全部生产可在一个车间内完成，是一种高性价比的太阳电池，具有很强的竞争优势具有广阔的市场前景.本文介绍CIGS 太阳电池的几个发展阶段，具有代