【摘 要】
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In our experiment,it was observed that the emission of direct-gap band in germanium with Ge-GeSn layers on one-dimensional(1D)structure.The results of experiment and calculation demonstrate that the u
【机 构】
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State Key Laboratory of Surface Physics,Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures(Ministr
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In our experiment,it was observed that the emission of direct-gap band in germanium with Ge-GeSn layers on one-dimensional(1D)structure.The results of experiment and calculation demonstrate that the uniaxial tensile strain in the [111] and [110] direction can efficiently transform Ge to a direct bandgap material with the bandgap energy useful for technological application.
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