电子器件辐射失效分布函数选择及生存概率的计算与分析

来源 :第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:libolb666
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本文讨论了电子器件在外辐射照射下生存概率的计算问题,首先通过分布的假设检验来判断器件总体的失效分布类型,检验结果发现:当试验提供的样本数较少时,器件的失效可服从几种分布。为了选择最佳的失效分布,根据最大熵方法,初步选定了器件的失效分布函数,并计算分析了不同总剂量照射下器件的生存概率;针对试验样本量很少,依此估计器件总体均值、标准差并不可靠的情况,应用贝叶斯Bootstrap方法对总体失效均值、标准差的区间估计进行了仿真计算,在此基础上,再次应用最大熵原理,利用模拟退火仿真方法计算得到了总体的均值、标准差,从而确定了器件总体最优的失效分布,分析生存概率的结果表明,该方法确定的失效分布更符合物理实际。
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