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对深亚微米NMOS和PMOS管进行了60Co γ总剂量辐射实验.实验结果表明,PMOS管在转移特性、噪声、匹配特性方面比NMOS管的抗辐照能力......
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随着商业微电子器件抗辐射能力的提高,使得对专用集成电路(ASIC)从设计上进行抗辐射加固成为可能。本文介绍了CMOS器件的抗电离辐射......
随着体硅CMOS工艺尺寸不断减小、集成度不断提高,电路受到单粒子辐射效应的影响会变得越来越严重。在大尺寸工艺条件下常用的DICE......