钛酸锶钡铁电薄膜具有良好的介电、铁电性能,如介电常数高,介电损耗小,介电调谐率高、漏电流密度低、热释电性能好等。可以制作多种电子元器件,如动态随机存储器(DRAMS),介电调谐器件,非制冷红外探测器阵列。但由于制备高质量的钛酸锶钡等铁电薄膜时需要较高的温度,这就造成铁电薄膜很难和硅集成加工工艺兼容,极大的制约了铁电薄膜的微型化和器件化。所以低温沉积BST薄膜受到了广泛的关注。采用缓冲层作为衬底是目前降低薄膜生长温度最主要的方法,PangLin等人采用LNO作为缓冲层的方法,在200OC获得了晶化的BST薄膜。但由于薄膜微型化要采用光刻工艺,而光刻胶普遍耐受温度低于200OC,这对BST薄膜沉积工艺提出了很苛刻的要求。在本实验中,我们试着通过引入LNO作为基底室温溅射制备了BST薄膜,并通过对后续热退火工艺的研究,制备了具有较好电学性能的BST薄膜。通过这样的方式就可以先用光刻技术先图形化,再进行热退火使薄膜晶化。