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本文简述了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的结构、性能，分析了其发展历程，从能耗、制造工艺及设计方面研究了IGBT技术发展的现状，并进一步探讨了人们对新结构、新工艺的探索和对器件高性能的追求。
IGBT技术发展概述
【摘 要】
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本文简述了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的结构、性能，分析了其发展历程，从能耗、制造工艺及设计方面研究了IGBT技术发展的现状，并进一步探讨了人们对新结构、新工艺的探索和对器件高性能的追求。
【机 构】
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北京工业大学电控学院,北京100124
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
【发表日期】
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2011年11期
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