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IGBT技术主要有穿透型和非穿透型,以及最先进的场终止型技术,场终止型代表了非穿透性技术的进展,主要表现在他的胞元结构,和子结构采用了不同的技术,这样做是为了降低IGBT关断时的拖尾电流,使之开关特性尽可能接近MOSFET,这种技术的应用,使得IGBT拥有更加广阔的市场.本文对不同类型IGBT进行了比较。