开关特性相关论文
GaN功率器件具有高电子迁移率、高耐压、大电流密度等特点。但目前仍存在诸多关键科学问题亟待解决,如:常规GaN HEMT器件在关断状......
电力电子技术的发展对变换器的小型化、轻量化、高效化给予了更高的期望。高开关频率高电压等级是电力电子器件发展的必然趋势,而S......
随着制备工艺的不断完善,碳化硅（SiC）MOSFET以其优越的材料特性,逐渐成为硅IGBT的有力替代者,可应用于轨道交通和电动汽车等中高功率......
沟槽栅IGBT消除了平面栅IGBT导通时的JFET电阻分量,因此具有更低的导通压降;且因其栅极集成在器件体内,故在导通时具有大的沟道密......
随着能源危机、全球变暖等问题的日益严峻以及新能源产业的蓬勃发展,高效率与小型化成为目前电力电子技术发展的两大趋势。作为电......
电力电子转换设备的性能与其核心功率开关器件息息相关,传统硅基器件的发展已逼近其材料的物理极限,成为当前限制电力电子转换设备......
学位
本文采用新的研究方法和改进的实验手段,在准静态磁场中研究了磁流体薄膜样品的光透射率,在交变磁场中研究了磁流体的开关特性,论......
SiC MOSFET具有开关速度快、耐压高、导通电阻小和热导率高等特点,在轨道交通、新能源发电、智能电网等领域逐步得到应用。但在SiC......
学位
分散在MOSFET栅极、源极、漏极的寄生电感由于封装以及印制电路板(PCB)走线,改变了MOSFET的开关特性.通过仿真分析对比,指出MOSFET......
文章描述了MOSFET和IGBT关断特性的不同,及其对关断瞬间并联均流特性的影响.MOSFET和IGBT共有的MOS门极结构导致其在器件开通过程......
建立了400 mm×400 mm口径单脉冲普克尔盒实验装置,采用小尺寸KDP晶体替代方案,完成了对400 mm×400 mm口径内不同区域时间特性的......
大口径倒腔式等离子体开关是神光Ⅱ升级装置倒腔式多程放大方案的关键单元，该方案要求等离子体开关能够在极短的时间内完成工作状态......
在考虑了太赫兹光非对称解复用器（TOAD）中半导体光放大器（SOA）的增益饱和与恢复效应的基础上，深入研究了超高斯控制脉冲对半导体光放大......
表面等离激元(Surface Plasmon Polaritons, SPPs)是一种具有强局域特性和强传导特性的特殊电磁波。在光学研究中，金属/介质/金属(M......
功率半导体器件是制造大功率电力电子装备的核心元件。传统硅材料的电子饱和漂移速度、临界电场强度、热导率和禁带宽度等物理特性......
运用光束传播法对硅交叉波导全内反射光开关中的光学效应进行了详细分析。结果表明：１）光学表面衰减波和泄漏波所引发的光遂道效应对开......
快恢复二极管(FRD)、超快恢复二极管(SRD)和肖特基二极管(SBD)是极有发展前途的电力、电子半导体器件。它们具有开关特性好、反向......
利用受激布里渊散射相位共轭特性和 Ｑ 开关特性组成 Ｎｄｖ Ｙ Ａ Ｇ 激光谐振腔， 代替传统激光器全反镜和调 Ｑ 装置， 获得能量１００ ｍ Ｊ、脉宽 １３ ｎｓ 的线偏......
根据脉冲测距基本方程和脉冲激光精密测距系统对精度和距离的要求,推导了半导体激光光源的设计指标。采用数字电路和模拟电路相结......
基于耦合模方程,利用含有时间推移变量的传输矩阵方法对非线性布拉格光栅(NLBG)双稳特性进行了理论分析,结果表明:在稳态情况下,不......
基于耦合非线性薛定谔(NLS)方程组,利用分步傅里叶法(SSFM),研究了二阶色散长度与线性耦合系数的乘积LDκ、三阶色散长度与线性耦......
压接式IGBT器件动态特性测试平台的杂散电感对于开关特性影响很大,准确提取测试回路中的杂散电感对于分析器件的开关特性非常关键......
在有光照射入非线性材料中时,光强会导致材料的折射率发生变化。空间光孤子的产生是因为材料的折射率的变化产生的自聚焦现象与光......
在现代通信网络中，采用全光通信的方式对网络进行提速、升级是大势所趋。光纤光栅耦合器集光纤光栅的滤波、反射特性与光纤耦合器的......
讨论了太赫兹光非对称解复用器 (TOAD)中半导体光放大器 (SOA)对具有不同能量和宽度的控制脉冲的动态增益响应 ,研究了控制脉冲能......
为了研究IGBT模块的开关瞬态特性,搭建一套基于LabVIEW的IGBT模块开关特性测试系统。对IGBT模块开关瞬态过程中的电压过冲进行了机......
IGBT的关断过电压一直是变流器设计中备受关注的重要课题。本文对IGBT关断过电压的产生原因及吸收电路抑制方法进行了分析,在背靠......
伺服系统以其优越的性能广泛应用于社会生活的各个领域中,伺服驱动器一般采用脉宽调制技术,然而驱动器中由于开关管的存在,其开关......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)由于其拥有成熟的结构以及控制技术,是目前电力电子设备所采用的主要功率器件。自上世纪80年代以来,IGBT工......
功率半导体器件是电力电子变换器的核心,因此半导体器件的性能往往也决定着整个变换器的性能。新型宽禁带GaN材料器件与传统Si器件......
伴随着社会经济的快速发展,社会各行业部门对电能的需求越来越高,电力系统对电力电子装置要求更高的电压,更大的功率容量和更高的......
学位
研究了液晶空间光调制器(LC-SLM)作为固定不动的编码模板应用于阿达玛变换光谱仪(HTS),提出了快速精确的解码方法,给出了由液晶空......
采用室温溅射沉积和空气热氧化方法低成本地制备出纳米结构热致变色节能薄膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪......
本文介紹了一台采用电流开关电路的模型計算机的試验結果。对电路性能及存在的問题作了分析和討論。
This article describes the......
利用耦合非线性薛定谔方程组(CNLSEs),研究了超短孤子脉冲在非线性三芯光纤耦合器中的传输和开关特性。分析了正常色散和反常色散......
目前在激光束空域参数及传输因子的测量中，一般采用基于面阵ＣＣＤ的数字图像采集系统，本文应用计算机模拟仿真的手段，针对基模高斯光束和高......
双位式开关执行元件结构简单，易于实现控制，但是由于其自身的开关特性而使其应用受到很大限制。模型预测控制突破了传统控制思想的约......
随着能源问题的日趋严峻，更加高效、高质量地获取及使用电能变得越来越迫切。由于碳化硅(SiC)器件高开关频率、耐高压、耐高温的特......
与传统的硅基器件相比,碳化硅绝缘栅双极型晶体管(SiC IGBT)具有更小的导通电阻、更高的耐受电压以及更快的开关速度.由于这些优异......
绝缘栅双极晶体管(InsulateGateBipolarTransistor,IGBT)是一种由场效应晶体管(MOSFET)和双极型功率晶体管(BJT)结合而成的达林顿......
惯性约束聚变的高功率激光驱动器系统结构复杂，光学器件口径大且激光功率高。为了解决系统中光束控制和反向激光控制，需要一个口径大......
双波长单纵模光纤激光器可以同时为波分复用光纤通信系统的两个信道提供光源，这不仅可以减少光源数量，而且还使系统设计更加紧凑、经......
近年来,有机存储器件以其机械柔性好、质量小,成本低、可大面积制作等优点而得到广泛研究,在众多存储器件中有机双稳态器件成为了......
近年来,晶闸管电机软起动器以其性能优异、节能高效、安全可靠的优点迅速成为市场主流。但是目前国内市场上的软起动器以中低压为......
Si功率器件经历了晶体管、晶闸管,到MOSFET及IGBT,在阻断电压、开关特性等方面正在接近材料的理论上限。以SiC材料为代表的第三代......
