光学气化过饱和析出法制备ZnO单晶微米管工艺参数研究

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:oicui
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  采用光学气化过饱和析出法在光学浮区炉中制备出高质量ZnO 单晶微米管.通过研究不同制备工艺参数下的显微形貌,提出了ZnO 微米棒/微米管的生长机理——光学气化过饱和析出及轴向再分解.XRD 和HRTEM 分析发现,所制备的ZnO 微米管为高质量的六方纤锌矿单晶结构,沿[0001]方向生长.
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