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Strain-Compensated GaAs1-yPy/GaAs1-zBiz/GaAs1-yPy Quantum Well Active Region Lasers

来源 :第七届铋化物半导体国际研讨会(7th International Workshop on Bismuth-contain | 被引量 : 0次 | 上传用户：skoda0412
【作 者】
：
H.Kim Y.Guan K.Forghani T.F.Kuech L.J.Mawst 
【机 构】
：
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 5370
【出 处】
：
第七届铋化物半导体国际研讨会(7th International Workshop on Bismuth-contain
【发表日期】
：
2016年11期
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