【摘 要】
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用等离子体辅助分子束外延方法,用Li-N作为双受主掺杂剂得到了p-ZnO薄膜.在此基础上构建了p-ZnO：(Li,N)/i-ZnO/n-ZnO结构光电探测器,并研究了其光响应特性.图1所示为器件的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,由图可见器件具有典型的整流特性,开启电压大约为6V.图2所示为器件的光响应谱线,从图中可以看到,在0V偏压下,器件在380 nm处有一个明显的响应峰值,响应度为0.45 mA/W.据我们所
【机 构】
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中国科学院 激发态物理重点实验室,吉林长春130033;中国科学院研究生院,北京100049 中国
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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用等离子体辅助分子束外延方法,用Li-N作为双受主掺杂剂得到了p-ZnO薄膜.在此基础上构建了p-ZnO：(Li,N)/i-ZnO/n-ZnO结构光电探测器,并研究了其光响应特性.图1所示为器件的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,由图可见器件具有典型的整流特性,开启电压大约为6V.图2所示为器件的光响应谱线,从图中可以看到,在0V偏压下,器件在380 nm处有一个明显的响应峰值,响应度为0.45 mA/W.据我们所知,这是ZnO同质p-i-n结构光电探测器的首次报导.
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