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宽禁带半导体材料-SiC和GaN具有禁带宽度大,热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电场高等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件等方面具有广泛的应用前景。文章综述了SiC和GaN的材料特性、SiC和GaN材料与器件的发展历程、国际发展现状及产品状况、国内研究现状以及可能的未来发展趋势与对策。