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本文报道了采用GsMBE方法研制的In<,0.53>Ga<,0.47>As PIN探测器,通过在器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了性能,采用半导体参数测试仪对器件的I-V特性进行了测量.
GSMBEIn0.53Ga0.47As PIN高速光电探测器
【摘 要】
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本文报道了采用GsMBE方法研制的InGaAs PIN探测器,通过在器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了性能,采用半导体参数测试仪对器件的I-V特
【机 构】
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中国科学院信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所(上海)
【出 处】
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第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2001年8期
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