论文部分内容阅读
本文研究了用甚高频等离子体增强化学气相沉积方法(VHF-PECVD)制备的不同硅烷浓度(SC)条件下的微晶硅薄膜样品.随着SC逐渐增大,样品沉积速率也逐渐增大,实验中最大速率可达20A/s;研究了样品的暗电导率及其光敏性(光电导/暗电导)随SC的变化情况,结果表明:在本实验条件中非晶/微晶过渡区发生在6﹪~7﹪之间;用室温的微区拉曼光谱进行了薄膜微结构的分析与研究,用高斯函数对其解谱分析得到随SC的增大,晶态比X.是逐渐减少的.