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在电场压力作用下的SiO<,2>薄膜中能产生缺陷.本文讨论在直接隧道应力模式下超薄二氧化硅薄膜晶体缺陷的产生机制及原理.
超薄SiO薄膜缺陷产生机制的研究
【摘 要】
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在电场压力作用下的SiO薄膜中能产生缺陷.本文讨论在直接隧道应力模式下超薄二氧化硅薄膜晶体缺陷的产生机制及原理.
【机 构】
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北京大学微电子研究所(北京)
【出 处】
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第八届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2002年12期
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