隧道应力相关论文
在电场压力作用下的SiO薄膜中能产生缺陷.本文讨论在直接隧道应力模式下超薄二氧化硅薄膜晶体缺陷的产生机制及原理.......
随着ULSI集成度的迅速提高,MOS器件尺寸已进入0.1微米量级.按等比例缩小规则,栅氧化层厚度已小于4nm.在MOS器件的正常工作电压下,......
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利用FLAC3D模拟了盾构隧道开挖对城市管线的影响.模拟过程中考虑了隧道应力逐步释放,然后逐步施作衬砌,并考虑盾构机的推进力.充分......
