Electronic structure,elastic properties of Ga1-xAlxN from first-principles calculations

来源 :第二十届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nihaoalinlin
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  The structural,electronic density of states,band structure and elastic properties of wurtzite Ga1-xAlxN have been investigated by using first-principles calculations based on the density functional theory.In the present work,the 16-atoms supercell has been used to simulate different Al content in the Ga1-xAlxN with x = 0,0.125,0.25,0.375,0.5,0.625,0.75,0.875,1.0.
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