【摘 要】
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本文采用线性离子束来制备DLC薄膜,并研究偏压对DLC膜结构和性能的影响。研究表明,随偏压增加,薄膜残余应力和力学性能呈相似的变化趋势,先增加后减小,但残余应力在-100V最大
【机 构】
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宁波材料技术与工程研究所,宁波,315201
【出 处】
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第7届全国表面工程学术会议暨第二届表面工程青年学术论坛
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本文采用线性离子束来制备DLC薄膜,并研究偏压对DLC膜结构和性能的影响。研究表明,随偏压增加,薄膜残余应力和力学性能呈相似的变化趋势,先增加后减小,但残余应力在-100V最大,而硬度和附着力在-200V最大。Raman结果显示,薄膜残余应力主要与C-Csp3键含量有关.而薄膜硬度除受sp3键含量影响外,还可能与薄膜致密度有关。
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