【摘 要】
:
由于CT图像重建理论的限制,现有ICT设备的最小测量线度主要决定于系统空间分辨率及CT值的随机散落.提出了区域边界积分概念,并在此基础上建立了铝构件中小尺寸间隙的精确测量方法,给出了测量结果.95﹪置信度下,测量不确定度优于±0.005mm.
【出 处】
:
第十二届全国核电子学与核探测技术学术年会
论文部分内容阅读
由于CT图像重建理论的限制,现有ICT设备的最小测量线度主要决定于系统空间分辨率及CT值的随机散落.提出了区域边界积分概念,并在此基础上建立了铝构件中小尺寸间隙的精确测量方法,给出了测量结果.95﹪置信度下,测量不确定度优于±0.005mm.
其他文献
我们利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法和等离子体氧化技术原位制备了a-Si:H/SiO多层膜,并依据激光诱导限制结晶原理,用KrF准分子脉冲激光辐照样品的方法,使a-Si:H/SiO多层膜进行晶化.拉曼(Raman)散射谱和电子衍射(ED)谱的结果表明经过激光辐照后纳米硅(nc-Si)颗粒在原始的a-Si:H子层内形成,晶粒尺寸可以精确控制,它是由a-Si:H层的厚度决定,且尺寸分布均匀
针对不同图形周期、占空比、方向的微电子器件,采用不同的照明方式能够使光刻机的分辨率和焦深达到最优.本文分析了一种新颖的、能够实现不同照明方式自由调制和切换的193nm准分子光刻机照明系统的原理,并对其组成部分进行了介绍.
区熔单晶硅与直拉单晶硅以及其他半导体材料相比杂质含量少,纯度和电阻率高,长期以来主要用于核探测器的研究与生产中.由于区熔单晶硅纯度高、少子寿命长,我们的研究发现用它特别适合制作工作于极低基极电流下的高增益双极晶体管和探测微弱信号的高灵敏度双极探测器(例如X光双极探测和光电晶体管).
文章在简述光瞳滤波技术原理与滤波器设计的基础上,详细分析研究了影响滤波成像光刻图形质量的因素,指出影响图形质量因素主要有滤波器的制作偏差、滤波器的放置和光刻工艺等.实验表明只有注意控制好这些因素,才能很好挖掘该技术提高光刻分辨力增大焦深波前工程技术的潜能.
我国微电子进入新的飞速发展时期,新的生产线在不断兴建,集成电路设计公司已超过300多家.但大量的都是中小设计公司,对制版和流片的都要有较低的成本;另一方面就是环境保护方面对生产的要求,希望尽可能减少对环境的污染或是减少对污染的处理压力.基于这种情况我们提出将高灵敏度光致抗蚀剂用于电子束掩模制造.
对用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术作了阐述,对无铬相移掩模(CPM)、交替相移掩模(APSM)以及高透衰减相移掩模(HT AttPSM)和CPM组成的混合相移掩模技术进行了研究.对这些掩模的一些制作方法及一些关键技术问题进行了分析研究.
本文章主要介绍在2.5G功放模块的设计过程中,PCB版上的微带线的设计.随着当今集成电路(IC)的迅速发展,IC的频率越来越高,已经步入射频甚至微波波段.但射频电路设计和生产中存在很多困难,例如,含有大功率器件的芯片的散热问题等,因此,一时间还很难把射频电路的规模做的很大.正是由于存在着这些问题,射频模块是在大规模射频IC出现之前,一个很好的替代大规模IC及应用射频电路的途径.
SiGe-on-Insulator(SiGeOI)是一种新型的SOI材料,是一种具有广阔应用前景的微电子衬底材料.本文采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)方法在Si衬底上外延高质量的单晶SiGe层,然后向样品中注入60keV、3×10cm的氧离子,从而在异质结附近形成富氧层,最后经高温退火工艺得到所需的SiGeOI结构.
生物芯片点样仪是制备生物芯片的较为关键的设备.点样仪是典型的直角坐标机器人,重复精度是其最重要的性能指标.点样仪仅有直线运动,所以它只存在位置不存在姿态;各轴之间没有联动.因此仅测量点样机器人的重复定位精度即可.本文讨论了在实际测量精度时,所采用的方法.
通孔技术在GaAs微波电路的应用越来越广泛.本文利用ICP-98高密度等离子刻蚀机进行GaAs通孔技术的刻蚀技术的研究,在低的偏压功率下,大的功率密度下获得剖面理想的通孔,刻蚀速率达到4.3um/分,在此速率下获得理想的通孔.