论文部分内容阅读
Outline Motivation Progress made at imec in 2018 Rear-emitter nPERT cell results:Bifacial 5BB cells Monofacial 0BB cells Summary
Progress on screen-printed, rear-emitter, monofacial and bifacial nPERT cells at imec
【摘 要】
：
Outline Motivation Progress made at imec in 2018 Rear-emitter nPERT cell results:Bifacial 5BB cells Monofacial 0BB cells Summary
【机 构】
：
Imec Jolywood
【出 处】
：
2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
【发表日期】
：
2018年11期
其他文献
琼海湿热环境实证1年（首年）后：试验组件Pm的衰减率基本在1~4％；平均Pm衰减率大小排序为：第三组、十一、六、四、五、十、二、八、一、七、九，平均Pm衰减率最大与最小二者相差2.46个百分点；实证1年，试验组串系统年累计直流比发电量基本均在1230~1330kWh/kW之间；试验系统的年累计直流单瓦发电量大小排序：第四组、十一、十、一、三、五、六、九、七、八、二，年累计单瓦直流发电量最大（第四组
通过DLTS从微观机理上说明了磷吸杂以及氢化处理后P型多晶硅片少子寿命提高的原因，从宏观及微观上分析了AlOx和AlOx/SiNx叠层钝化的吸杂及未吸杂硼掺杂多晶硅寿命样品的LeTID现象。
随着电池片功率提高、电池片变薄、对组件功率的要求提高、对组件寿命的要求提高，行业对任何材料的判断基准已经提升到从LCOE的角度来思考,本文介绍了封装材料发展现状（光伏背板、封装胶膜）和封装材料发展新思路（KPO One背板）。
铸造单晶硅是目前光伏硅晶体发展的重要方向，面临高位错密度、单晶率、籽晶成本和材料利用率等问题的挑战，位错(包括分散位错和位错团)是制约单晶硅质量的关键因素，晶界工程可以降低位错团，明显提高晶体质量。
本文分析了光伏+储能市场，介绍了光伏+储能系统应用策略，阐述了林洋双面高效实证电站，介绍了电站设计及EPC能力。
本文阐述了非单晶硅材料的生长与缺陷控制及其对电池及组件光衰和氢化，通过发展新的位错处氢捕陷技术，最大化加氢量,然后控制或移除多余的氢来制备非单晶硅材料。
本文阐述了提拉法单晶硅生长系统中碳杂质输运与控制的数值模拟与实验验证，结果表明：过量碳氧杂质降低CZ-Si工艺中的晶体品位，碳杂质对少流子寿命的危害主要发生在氧含量较高的CZ-Si晶体中，气体导流筒与Si熔体间隙对C杂质输运影响取决于扩散距离。
Passivating Contacts Next Generation Silicon Solar Cells Al-BSF,PERC Mature main stream technology Intrinsic efficiency limitation Unpassivated metal contacts Contact recombination and lateral current
会议
WHAT COMES AFTER PERC?Passivated contact front Reduced J0,Ag Challenge:Alignment & absorption n-poly
会议
双面组件发电增益大幅提升，大幅降低系统LCOE.双面系统设计中，地表反射率，安装高度,纬度，组件尺寸，支架，逆变器的选择都有很强相关性，建议进行全球系统实证后给出解决方案。双面组件在雪天发电量显著提升，且可以大幅缩减融雪时间，减少积雪带来的发电量损失和可靠性风险.