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铸造单晶硅是目前光伏硅晶体发展的重要方向，面临高位错密度、单晶率、籽晶成本和材料利用率等问题的挑战，位错(包括分散位错和位错团)是制约单晶硅质量的关键因素，晶界工程可以降低位错团，明显提高晶体质量。
铸造单晶硅材料--生长和缺陷控制
【摘 要】
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铸造单晶硅是目前光伏硅晶体发展的重要方向，面临高位错密度、单晶率、籽晶成本和材料利用率等问题的挑战，位错(包括分散位错和位错团)是制约单晶硅质量的关键因素，晶界工程可以降低位错团，明显提高晶体质量。
【机 构】
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硅材料国家重点实验室(浙江大学)
【出 处】
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2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
【发表日期】
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2018年11期
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