【摘 要】
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本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga047A GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工艺.该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器件栅宽
【机 构】
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电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室,成都611731;南京电子器件研究所,南京210016电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室,成都611731南京电子器件研究所,南京210016
【出 处】
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2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议
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本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga047A GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工艺.该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器件栅宽为2×20um,电路版图联合仿真结果表明该LNA在75-100GHz频带内,输入输出回波损耗均大于5dB,噪声系数小于5dB,增益大于17dB,带内增益平坦度小于1.5dB,W波段全频带内增益大于12dB.芯片面积为2.6mm×1.6mm.
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