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该研究比较了Ｃ－ＳｉＣ梯度基复合材料和Ｃ／Ｃ复合材料的氧化行为。实验结果表明ＳｉＣ通过占据表面活性点提高了共沉积基体的氧化起始温度；由于减少了碳与氧的接触面积，阻挡氧化凹坑的扩展，降低了材料的氧化失重速率。利用ＳＥＭ观察了梯度基复合材料微观氧化过程。
C-SiC共沉积基体氧化行为研究
【摘 要】
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该研究比较了Ｃ－ＳｉＣ梯度基复合材料和Ｃ／Ｃ复合材料的氧化行为。实验结果表明ＳｉＣ通过占据表面活性点提高了共沉积基体的氧化起始温度；由于减少了碳与氧的接触面积，阻挡氧化凹坑的扩展，降低了材
【机 构】
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中国科学院金属研究所(沈阳)
【出 处】
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第17届炭-石墨材料学术会议
【发表日期】
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1998年期
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