随着集成电路技术的发展，晶体管的特征尺寸已经减小到45nm 以下，栅氧化层的物理厚度小于2nm，导致栅极漏电流增大，采用高k材料取代二氧......

采用高真空电子束蒸发的方法将镍(Ni)淀积在4H-SiC(0001)面上，制备出良好的Ni／4H-SiC肖特基接触．研究了Ni／4H-SiC肖特基势垒在强磁场和......