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采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展晶体完整性研究,改进工艺,提高单晶质量打下了良好的基础.
Φ50mm InP单晶片的EPD分布测量
【摘 要】
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采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展晶体完整性研究,改进工艺,提高单晶质量打下了良好的基础.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所国家专用集成电路重点实验室(石家庄)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2004年7期
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