生长工艺相关论文
以锆钛酸铅陶瓷为代表的铅基压电材料具有优异的压电性能,被广泛应用于工业、生活的各个领域。但是,其所包含的铅具有毒性,危害到......
一种检测GaN基材料局域光学厚度均匀性的方法由中科院上海技术物理研究所上海蓝宝光电材料有限公司发明并获专利。该专利采用显微......
据《科学时报》2005年6月9日报道。中科院半导体所的科技人员重点研究和解决了大直径半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶从研究到生产的重......
美国北卡罗来纳州立大学(NCSU)的研究人员最近提出了一种新的的氮化镓生长工艺,据称和现有工艺比较,这一新工艺有望把材料的缺陷减......
与平面栅IGBT相比,沟槽栅IGBT能显著改善通态压降与关断能量的折衷关系,更适用于中低压高频应用领域。针对沟槽栅IGBT技术的挑战(......
纳米激光,是指由纳米线等纳米光电材料作为谐振腔,在光激发或电激发下发射出的激光。发射纳米激光的激光器的尺寸往往只有数百微米......
本文叙述了液相外延的简单理论及其生长工艺.稳态生长和瞬态生长中的三种冷却技术都是以生长速率取决于溶质向界面的扩散快慢为依......
介绍了在ＧａＡｓ液相外延过程中，通过改变源溶液的配比及处理方法、外延生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件，制做出厚度均匀、掺杂......
钛酸锶单晶体目前使用数控焰熔法生长工艺,通过晶体生长炉生长,对影响晶体生长参数例如气体参数、生长速度和退火工艺参数进行研究......
针对大直径石墨热场进行8英寸单晶硅棒生长工艺进行了研究和探讨,分析了单晶炉内热对流、温度、工艺参数对于单晶生长的影响,对一......
调节晶种热交换器的水流量和入口温度,并在相同直径的生长过程中使用不同的维持功率下降水平.结果表明,换热器的冷却强度对籽晶生......
目前基于真空电子学的太赫兹源是产生太赫兹波的最有效方法。在真空太赫兹器件中阴极起了极其关键的作用,目前热阴极很难适应真空......
学位
Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体属于立方晶系,空间群为m3Fm,具有高度对称性结构,为新发现的钾冰晶石型闪烁晶体。目前国际上对该晶体直接报道......
第二代Y系高温超导带材(YBa_2Cu_3O_(7-δ)，YBCO)具有优异的电学性能，它在诸多领域（特别是强电领域）有着广泛的应用前景。在柔性基带上......
化学气相沉积(CVD)法制备的金刚石膜具备天然金刚石的诸多优异性能，在许多领域具有极好的应用前景。研究表明，CVD金刚石膜的性能受其......
本论文采用脉冲激光沉积方法制备SrTiO_3 薄膜,通过优化薄膜的生长工艺参数,分析了微观结构对SrTiO+3薄膜介电性能的影响。运用AFM......
磷酸二氢钾(KDP)是人们发现的最古老的非线性光学晶体之一，至今已有近80年的研究历史。该晶体广泛应用于激光变频、电光调制和光快......
钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,简称BST)是一种钙钛矿结构的铁电材料,具有高介电常数、低损耗、低漏电流密度、电压非线性强等优点,尤其该......
本论文中采用提拉法生长了一系列Mg:Er:LiNbO_3晶体,研究了晶体的生长工艺、结构及光学性能。探索出生长同成分铌酸锂晶体合适的工......
2μm波段激光具有大气传输特性好、穿透能力强、保密性好，对人眼安全等优点，在军事、医疗和环境监测等领域具有广泛的应用前景。作为......
InSb单晶作为III-V族半导体材料中禁带宽度最窄的二元化合物材料,在中红外探测波段有着很重要的应用。同时,随着人们对非晶的研究......
在InGaAs/GaAs量子点之间插入AlGaAs间隔层，会对量子点分布产生一定的影响，进而改善器件的性能。通过分子束外延技术生长InGaAs/AlGa......
二极管抽运的应用颇大地扩展了固体激光器在各个科技领域的应用。由于 YAG∶Nd3+晶体的生长工艺较好 ,并能得到良好输出特性 (高效......
环欧公司首次在国内研制出了气相掺杂区熔硅单晶,设计出了一整套合理的气相掺杂区熔硅单晶的生长工艺,该工艺技术是具有自主知识产......
美国、俄罗斯、中国、印度、日本、欧洲等国家都投入大量的资源发展空间技术.目前,空间电源的主要来源是太阳电池.但由于传统的硅......
采用金属有机沉积(MOD)法在LaAlO3(LAO)单晶基片上沉积了LaMnO3(LMO)缓冲层薄膜,通过控制LMO薄膜关键生长工艺(如退火温度、退火时......
特定形貌贵金属纳米钯在催化、肿瘤光热治疗等领域有重要的应用前景。其形貌及尺寸的可控合成一直备受关注,贵金属纳米钯的形貌调......
对KBr原料进行了纯化处理,采用提拉法生长KBr晶体,获得了合适的晶体生长工艺参数：熔液上方温度梯度-20℃/cm～-30℃/cm,下方温度梯度1......
采用液-固-溶液法（LSS法）制备了CaF_2纳米粉体,通过X射线衍射分析（XRD）测试手段对纳米粉体进行了性能表征,研究了水热合成温度及水热压......
用气相催化无衬底化学气相沉积法制备TiC高温陶瓷晶须.经X射线物相分析、电子衍射测定和扫描电镜观测,分析了TiC晶须的形貌.......
采用基板生长工艺对各种影响气相生长碳纤维的因素进行分析.结果表明,选择硫化亚铁作为催化剂,氩气为载气,丙烯为碳源,炉内压力420......
本文介绍了利用稻壳作原料生长SiC晶须的方法。研究了温度、时间、催化剂及烧制气氛对SiC晶须生长的影响,从而找出了由稻壳生长SiC......
A numerical model has been established to calculate the primary spacing of cellular or dendritic structure with fluid fl......
A NEW CONCEPT TOWARD INDUSTRIALIZATION OF Cu-Ⅲ-Ⅳ2 THIN FILM SOLAR CELLS AND SOME PRELIMINARY EXPERIM
A new concept of full vacuum manufacturing for Cu-Ⅲ-Ⅳ2 thin-film solar cells has been discussed. Cu-Ⅲ-Ⅳ2 thin-film s......
利用高能电子衍射振荡研究MBE异质材料生长工艺.优化了AlGaAs/InGaAs/GaAs材料生长工艺.通过霍耳测量、X射线双晶衍射及二次离子质......
<正> 80年代末期以来,用MOCVD生长的异质结、量子阱和超晶格材料日益显示出它在技术上的重要性,用其制作的LED具有常规器件无法比......
纵观古今,能源的开发和利用在解放生产力和人类社会变革中起着至关重要的作用。聚变能能够释放较大能量,资源储量丰富,是一种高能......
用光荧光谱(PL)方法研究了无杂质空位诱导(IFVD)InGaAs/InP多量子阱(MQWs)结构的带隙蓝移. 实验中选用Si3N4作为电介质层,用以产生......
介绍了用于生长SiGe材料的3UCVD设备的简要情况.对3UCVD工艺系统构建了神经网络模型;基于误差反向传播(BP)学习算法设计了一种自动......
石英玻璃衬底在金刚石粉和丙酮形成的悬浮液中超声波预处理,有效提高了金刚石成核密度.在最佳预处理和热丝化学气相沉积条件下,成......
以富Pb配料，采用特殊工艺生长出尺寸为ф10mm×20mm的PbIz晶体，XRD分析结果表明该晶体为2H晶型，P3ml空间群；IR透过率测试结果表明1......
本文阐述了一种罕见的人工宝石立方氧化锆晶体观赏石，介绍了合成立方氧化锆晶体的生长设备和生长工艺；还介绍了立方氧化锆晶体的生长......
