【摘 要】
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对嵌有AlAs薄层的GaAs外延材料在450℃下用水汽测壁氧化的方法使之成为具有AlO绝缘缓冲层的GaAS多层外延材料（GOI）将该材料与一般GaAs材料同时进行Y瞬时辐射实验。结果表明：该材料比一般常规材料的防时脉冲光电流有明显下降，具有较强的抗丫瞬时辐时的能力。
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对嵌有AlAs薄层的GaAs外延材料在450℃下用水汽测壁氧化的方法使之成为具有Al<,2>O<,3>绝缘缓冲层的GaAS多层外延材料（GOI）将该材料与一般GaAs材料同时进行Y瞬时辐射实验。结果表明：该材料比一般常规材料的防时脉冲光电流有明显下降，具有较强的抗丫瞬时辐时的能力。
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