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InAs基锑化物二类带间级联激光器
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,中国
【出 处】
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第十二届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2017年期
其他文献
本文报道了基于主控振荡(MO)-功率放大(PA)结构的太赫兹量子级联激光器(THz-MOPA-QCL)。我们利用“半导体/金属”分布反馈光栅提高MO 的输出功率,利用锥形放大区域抑制增