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φ２″的Ｓｉ－ＧａＡｓ单晶高温热处理前后晶体表面的光学电学性质
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议
【发表日期】
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1993年期
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