【摘 要】
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本文介绍了双栅a-IGZO TFT的制备,并对其电学特性进行了研究.测试结果显示,双栅a-IGZO TFT较单栅器件具有更大的驱动电流,更高的载流子迁移率和更陡的亚阈值斜率.当沟道长度
【机 构】
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北京大学,信息科学技术学院,北京,100871
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本文介绍了双栅a-IGZO TFT的制备,并对其电学特性进行了研究.测试结果显示,双栅a-IGZO TFT较单栅器件具有更大的驱动电流,更高的载流子迁移率和更陡的亚阈值斜率.当沟道长度减小到6μm时,单栅器件出现短沟效应,而在双栅器件中,短沟效应得到了抑制.另外,由于底栅和顶栅电极可分开偏置,从而可实现对器件阈值电压的动态调节.
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